王晖
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任忠鸣
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王秋良
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严陆光
材料研究学报
研究了Bi--6\%Mn合金从低于446℃开始的半固态凝固过程中,
MnBi析出相磁致织构的形成过程和规律. 结果表明, 合金从355$\sim$446℃开始半固态凝固时,
合金中的MnBi相在340℃(MnBi相顺磁--铁磁转变温度)附近发生形态突变,
由规则的六方晶体转变为沿ab面长大的不规则片状晶体;
析出相的磁致织构是在发生磁性转变生成铁磁性MnBi相后通过晶粒旋转取向形成的.
合金从低于355℃开始半固态凝固, 导致织构形成的磁感应强度阈值随着温度的升高而降低,
从355$\sim$446℃之间开始的半固态凝固则相反.
磁场中合金从低于355℃开始的半固态凝固有利于制取高性能的过共晶Bi/MnBi磁性复合材料.
关键词:
金属材料
,
solidification
,
textured structure
,
magnetic field
,
Bi-Mn alloy
,
MnBi precipitated ph
黄建华
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刘怀周
人工晶体学报
采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响.结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B2H6掺杂量由30 sccm增加到60 sccm,BZO薄膜的方阻由28.6Ω/□减小到14.1 Ω/□,导电能力显著增强,同时方阻均匀性也明显提升;BZO薄膜在长波区的透光率随B2H6掺杂量的增加而明显降低,综合透光率结果,最佳B2H6掺杂量控制在60～ 90 sccm之间.
关键词:
低压化学沉积
,
B掺杂ZnO薄膜
,
透明导电氧化物
,
方块电阻
,
均匀性
,
绒面结构
